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    與雙極設(shè)備形成對(duì)比的是，MOSFET 開(kāi)關(guān)屬于壓控設(shè)備。對(duì)于MOSFET來(lái)說(shuō)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)的控制所采用的門(mén)極控制電壓類似于某些雙極晶體管的基極電流控制。實(shí)際上，為了獲得高速的MOSFET導(dǎo)通/截止，經(jīng)常采用具有較強(qiáng)正/反向電流驅(qū)動(dòng)能力的驅(qū)動(dòng)器。為了實(shí)現(xiàn)此目的，本節(jié)提出了幾個(gè)電路以供參考，但是沒(méi)有對(duì)它們進(jìn)行深入分析。

    對(duì)于一個(gè)N溝道的MOSFET來(lái)說(shuō)，給出了其最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)器形式。上側(cè)的雙極晶體管負(fù)責(zé)導(dǎo)通，下側(cè)的雙  Vn極晶體管負(fù)責(zé)截止。通過(guò)引入一個(gè)電容創(chuàng)建電容耦合驅(qū)動(dòng)器。此改進(jìn)方案提供了一個(gè)更大的正向上涌電流，導(dǎo)通時(shí)，給內(nèi)置的門(mén)源電容充電。很止時(shí)，耦合電容和下端的驅(qū)動(dòng)器為MOSFET的門(mén)極提供個(gè)短時(shí)間的負(fù)電壓，

   電容概合型N溝道MOSFET重動(dòng)器  MOSFET更動(dòng)器的修改可以通過(guò)引入一個(gè)二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓做出更多的調(diào)整，可以給出兩個(gè)不同的導(dǎo)通/截止驅(qū)動(dòng)時(shí)間常數(shù)?？梢砸雮€(gè)變壓 器實(shí)現(xiàn)浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)，通過(guò)變壓器的耦合，也可以實(shí)現(xiàn)隔離功能。毫無(wú)疑問(wèn)，這系列的改進(jìn)方法顯示了此類分析方法的強(qiáng)大與魅力。

   開(kāi)/關(guān)觀服家動(dòng)器也就實(shí)現(xiàn)了中陶道MOSET的導(dǎo)通做止。對(duì)用于動(dòng)事開(kāi)關(guān)的P內(nèi)通MOSFET,建立其配簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)器電路、如果老門(mén)一面內(nèi)相間周12160防樓 個(gè)電容，可以實(shí)觀浪通抑制功能，在導(dǎo)通階段，電容電壓的最時(shí)特性使得P內(nèi)道設(shè)備銀值在程室品圍變化時(shí)，能動(dòng)器網(wǎng)絡(luò)可能不會(huì)對(duì)能入電壓產(chǎn)生個(gè)可變電阻。當(dāng)輸入電壓響應(yīng)。

一個(gè)齊納二極管和電阻的組合使得輸入變化不再相干，從而該驅(qū)動(dòng)器克服了低輸入電壓的問(wèn)題。此外，也直接連接的二極管也提升了電路的開(kāi)關(guān)速度。